Con la proliferación de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez más complejo, para el actual diseñador, seleccionar el mejor producto para su aplicación. La evolución de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el clásico relé de conmutación de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego los IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor). En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes máquinas eléctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusión cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver nuestra necesidad. Conociendo las características elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la conmutación en sistemas electrónicos de potencia, podremos discernir qué componente se ajusta a nuestras necesidades de diseño.¿Cómo podríamos definir al IGBT en pocas palabras? El IGBT es un cruce, un híbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de ambas tecnologías. El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión que ofrece un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen ... ¿te interesa este artículo?
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