Mostrando entradas con la etiqueta Transistores. Mostrar todas las entradas
Mostrando entradas con la etiqueta Transistores. Mostrar todas las entradas

sábado, 29 de noviembre de 2014

MICROPROCESADOR 8829CRNG4VN3

Este microprocesador, 8829CRNG4VN3, se encuentra en un modelo de 29" de Telefunken (TV analógico) y hoy nos encontramos con una falla que se complicó en su fase inicial. El TV enciende sin problemas, aparece sonido, y antes que podamos ver imagen se apaga. Todo sucedía en un lapso de tiempo que no permitía hacer demasiadas cosas. Lo que hicimos fué desconectar el filamento del TRC y alimentarlo de manera externa con una pequeña fuente de alimentación variable.

Con el filamento en marcha encendimos el TV y el mismo mostraba la pantalla de inicio correcta (Pantalla azul que se abre como un cortinado hacia los costados y muestra la imagen del canal seleccionado), luego aparecía la imagen del canal con barridos vertical y horizontal correctos y una imagen sin problema alguno. Tras uno o dos segundos, el TV se apagaba solo, como si estuviera auto - protegiéndose o esperando las señales de referencia del barrido vertical u horizontal para colocar en lugar correcto el OSD (On-Screen Display) y demás funciones que el microprocesador necesita saber para un correcto funcionamiento del TV. 

Soldaduras frías no había (falsos contactos), semiconductores deteriorados (transistores o diodos) y capacitores electrolíticos secos tampoco. El TV funcionaba, lo habíamos visto con una imagen impecable, pero algo le faltaba al microprocesador ya que enviaba la información a la fuente de que se apague. Al comenzar a buscar en las señales de referencia horizontal y vertical encontramos que todos los diodos estuvieran en estado correcto y luego de esto pasamos a controlar la ESR de los electrolíticos que intervienen en el circuito. Al comenzar la comprobación descubrimos que C251 estaba completamente abierto y no permitía pasar la referencia vertical. 


Una vez cambiado este componente el TV funcionó sin problemas. Lo importante, siempre que ocurre este tipo de situaciones de reparación, se resume a poseer tres cosas elementales: 1) La información, el circuito del equipo que estamos analizando, 2) Los instrumentos para verificar el correcto funcionamiento de los componentes y 3) El conocimiento necesario de saber qué es lo que estamos buscando ya que, sin ese conocimiento, podemos dar vueltas durante todo un día sin enterarnos por dónde puede originarse la falla de un equipo; sea TV, Radio, Audio, etc. (dolores de cabeza por los que todos atravezamos cada vez que trabajamos con fallas complejas).

Buena reparación de sábado por la mañana. Ahora a trabajar en la interface de modos digitales.     

martes, 26 de julio de 2011

¿IGBT o MOSFET? – Electrónica de Potencia

Con la proliferación de opciones entre IGBT y MOSFET resulta cada vez más complejo, para el actual diseñador, seleccionar el mejor producto para su aplicación. La evolución de este tipo de dispositivos, nacidos para eliminar el clásico relé de conmutación de cargas, ha llevado un lento pero continuo proceso (y progreso) pasando, entre otros, por los Transistores Bipolares (BJT), los MOSFET y luego los IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor). En la actualidad encontramos IGBT en variadores de frecuencia, en convertidores de potencia y en grandes máquinas eléctricas. Sin embargo, no siempre es necesaria su inclusión cuando el uso de transistores MOSFET puede resolver nuestra necesidad. Conociendo las características elementales de estos dispositivos semiconductores, dedicados a la conmutación en sistemas electrónicos de potencia, podremos discernir qué componente se ajusta a nuestras necesidades de diseño.

¿Cómo podríamos definir al IGBT en pocas palabras? El IGBT es un cruce, un híbrido, entre los transistores MOSFET y los BJT o bipolares que aprovecha las bondades de ambas tecnologías. El IGBT tiene la salida de conmutación y de conducción con las características de los transistores bipolares, pero es controlado por tensión como un MOSFET. En general, esto significa que tiene las ventajas de la alta capacidad de manejo de corriente propias de un transistor bipolar, con la facilidad del control de conducción por tensión que ofrece un MOSFET. Sin embargo, los IGBT no son dispositivos ideales y entre algunas de sus desventajas encontramos que tienen ... ¿te interesa este artículo?

Léelo completo AQUÍ

Hasta la próxima!